现在目前还没有，现在只有一些充电桩才配到了，而且也是最近的才有。
氮化镓快充市场从概念走向量产民用化，仅用了短短几年时间；而从产品量产到目前行业的爆发，间隔不到一年。仅2020年初充电头网从美国CES展会上的数据来看，就有66氮化镓快充充电器新品发布，呈井喷的发展趋势。
据充电头网2020年中统计数据显示，已有华为、小米、OPPO、魅族、三星、努比亚、realme等多个知名品牌推出了氮化镓快充产品。电商方面，目前也有17家品牌先后推出了数十款氮化镓快充新品。
1、深圳市雅晶源 科技 有限公司
深圳市雅晶源 科技 有限公司是香港AMC集团下属的开关电源专业生产厂家，成立于2008年，拥有一站式的生产资源能力，能够确保和配合客户全面的规格及非常高的效率。产品包括交换模式电源、变压器、适配器、机顶盒电源板、电视机电源板、打印机电源板、LED驱动电源等。
产品案例：
（1）电友65W 2C1A氮化镓快充充电器
（2）品胜65W氮化镓快速充电器
（3）品胜65W 2C1A氮化镓充电器
（4）闪极90W 2C1A氮化镓充电器
（5）雅晶源90W氮化镓充电器
2、东莞市隆佳展能源 科技 有限公司
东莞市隆佳展能源 科技 有限公司成立于2009年，致力于充电器的开发，制造和销售，适用于各种便携式设备。是便携式可充电充电器模块（GaN充电器、交流适配器、移动电源、车载充电器、PD＆QC测试仪、智能电缆等）的专业全球供应商。
产品案例：
（1）ROxANNE 66W氮化镓USB PD双口快充充电器
（2）Lapo 65W USB PD氮化镓快充充电器
（3）隆佳展65W 1A1C氮化镓PD充电器
3、东莞市 宝铼 珀通讯 科技 有限公司
东莞市宝铼珀通讯 科技 有限公司成立于2016年，是一家集研发生产为一体的高新企业，拥有各类旅行充电、车载充电器、 数据传输线、蓝牙发射器、无线充电器、 等系列产品。公司占地面积8000余平方米，拥有模具设计制作，塑胶成形生产、SMT表面贴装、DIP波峰焊接、MFi线材插头镭射焊接 、自动剥线焊接等一系列自动流水线，拥有行业领先的研发发设计水准和生产制作能力。
目前已获得 ISO-9001：2015 质量管理体系认证，Sedex 社会 责任体系审核，以及Walmart供应商体系和MFi 6.6合格生产商，和CCC合格生产企业；产品先后通过 CCC、ETL、CE、FCC、PSE、WPC-Qi、Qualcomm、USB-IF、BSMI等产品认证。
产品案例：
（1）倍思120W 2C1A氮化镓充电器
4、安福县海能实业股份有限公司
安福县海能实业股份有限公司（股票简称：海能实业，股票代码：300787），是一家专业化的消费电子产品制造商。从成立开始，公司就专注于消费电子产品的技术研发、结构设计、精密制造、销售服务；致力于为客户提供定制化产品服务。公司的产品主要应用于智能移动通讯设备、家庭和商业影音设备、个人计算机及其它电子终端产品领域。
公司主营高速线束类产品，信号适配器类产品，电源适配器类产品，声学类产品。在江西省安福县、遂川县、广东省深圳市以及越南设立生产基地，在供货时效、生产效率方面有明显优势，为客户提供最有竞争力的产品和服务。
产品案例：
（1）贝尔金68W双C口GaN充电器
5、深圳市迪比科电子 科技 有限公司
深圳市迪比科电子 科技 有限公司成立于2004年，是一家集研发、生产、销售移动电源、电池、摄影器材等相关电子产品于一体的高新技术企业。公司广泛承接海内外客户的OEM和ODM的合作项目，目前拥有1800多名员工，厂房面积32000多平方米，以及多条国际标准的产品线，旗下拥有迪比科、斯丹德等品牌。
产品案例：
（1）迪比科90W双USB-C口氮化镓快充充电器
6、东莞市福瑞康控股有限公司
东莞市福瑞康控股有限公司创建于2018年，是中国最大的专业设计制作各类电源、通讯及网络系列变压器、分离器的厂商之一。总部位于香港，公司在北京、苏州、香港、台北、汉城、新加坡等世界城市均设有分支机构，在深圳光明、湖南郴州均设有分厂，拥有2000多名员工。逐步形成了覆盖全球的销售体系，树立了福瑞康的良好品牌信誉，建立了地区、集团化的高 科技 经济实体。
产品案例：
（1）小米GaN充电器Type-C 65W
7、深圳市高普达 科技 有限公司
深圳市高普达 科技 有限公司是中国行业领先的移动和平板电脑配件制造商之一，拥有超过10年的生产经验，目前已通过ISO9001：2008和ISO14001：2004认证。作为与Apple MFi签约的制造商，高普达可提供各种 时尚 电子零件，包括USB PD充电器、车载充电器、MFi电缆等配件以及更多针对不同智能手机和平板电脑用户的创新产品。
产品案例：
（1）HYPER JUICE 2A2C氮化镓100W充电器
8、深圳市鸿达顺 科技 开发有限公司
深圳市鸿达顺 科技 发展有限公司成立于2004年，工厂占地面积3000多平方米，拥有5条专业化生产线，员工150-200人。公司配备了强大的研发团队，始终保持持续创新，并成功成为国家高新技术企业，是电源适配器的专业研发生产商，尤其专攻GaN(氮化镓）PD充电器、各大品牌笔记本电脑充电器、USB多口旅行充电器、多口USB车载充电器、开关电源等。
公司生产流程严格按照质量管理标准体系进行，符合ISO9001：2015标准，所有原材料都经过严格的检验和筛选。目前公司生产产品已配备CE、FCC、RoHS、CTUVUS、ETL、UL、GS、CB、BS、PSE、KC、KCC、SAA、C-TICK等全球认证。
产品案例：
（1）鸿达顺65W 2C1A氮化镓快充充电器
9、东莞市和创绿能电子 科技 有限公司
东莞市和创绿能电子 科技 有限公司成立于2016年。坐落于东莞清溪镇厦坭路地段，是一家专注于充电器的研发设计和生产制造的高新技术企业，拥有先进的质量检测设备，全自动化机器生产组装，无尘生产车间等生产设备。拥有专业的外观设计和结构设计团队，目前已拥有多项外观设计专利与实用新型专利，产品已通过CCC、FCC、CE、MFI、QI等国际认证，为品牌客户提供充电器从电子，外观，结构、包装等到生产制造，成品出货一站式服务。
产品案例：
（1）京东京造65W双口氮化镓充电器
10、深圳市坤兴 科技 有限公司
深圳市坤兴 科技 有限公司成立于2003年，是国内电源产品大型制造商，产品从设计到制造，拥有完善的品质流程控管体系，为客户提供一站式采购服务。
坤兴 科技 总部位于深圳平湖，至今获得国内外多项专利认证、ISO认证、以及产品全球认证等。为向电商客户提供良好的服务体验，提供高度的灵活性和响应速度，投资成立了深圳市小小黑 科技 有限公司，专注于消费类电源及相关产品的研发。
产品案例：
（1）努比亚65W多口氮化镓充电器
（2）毕亚兹2C1A 65W氮化镓充电器
（3）360 65W氮化镓充电器
（4）小小黑60W GaN氮化镓充电器
11、东莞市冠锦电子 科技 有限公司
东莞市冠锦电子 科技 有限公司成立于2012年，位于广东省东莞市东城区牛山堑头新兴工业区，是一家集研发、生产和销售于一体的开关电源专业制造生产厂家。公司同设香港“冠宝德(香港)有限公司”，工厂面积1万4千多平方米，现有600多位训练有素的公司职员、经验丰富的研发团队和管理队伍。健全的管理品质体系，并配置了先进的测试仪器设备。产品外观新颖,现拥有多种开关电源机种产品，开发有: 6W 9W 13W 15W 18W 25W 42W 72W 100W等系列机型，并相应取得了UL、GS、CCC、PSE、BS、CE、CB、F CC、EMC等国际安规机构认证。公司所生产的产品完全能通过ROHS、REACH、PH TH、PAHS等相应环保要求。
产品案例：
（1）倍思45W 2C氮化镓充电器
（2）倍思45W 1A1C氮化镓充电器
12、东莞立德电子有限公司
立德电子成立于1970年，总公司位于台北，1990年投资大陆,目前大陆设有四座现代化环保工厂，员工人数近五千名。并于2002年台北正式公开上市。公司专门从事开发/生产/销售变压器、整流器、充电器，开关电源等产品，事业机构分布在北美、欧洲、东亚、东南亚等地区;主要客户有Sony、Motorola、HP、Rockwell、NEC、Hitachi、BenQ、Konka、华为、康佳、TCL台达、富士康等。
产品案例：
（1）UIBI 30W 氮化镓双口快速充电器
13、深圳市联讯发 科技 有限公司
深圳市联讯发 科技 有限公司是集研发、生产、经营于一体的高 科技 企业，技术力量雄厚，生产设备先进，检测手段齐全，产品质量过硬，是亚洲最大的电子、通讯配件产品的制造商之一。
公司以开发、生产国内外一线品牌的电源适配器、USB智能排插、墙插等IT产品配件，产品远销欧美发达国家以及其他发展中国家。现公司厂房面积8000多平米独栋厂房，拥有SMT、组装、包装等生产线，日产能10万，拥有整套SMT自动化生产车间，可生产高精度贴片产品。
产品案例：
（1）绿联65W氮化镓USB PD快充充电器
14、光宝 科技 股份有限公司
光宝创立于1975年，以「光电节能、智能 科技 最佳伙伴」为愿景，聚焦核心光电元件及电子关键零组件之发展，致力以资源集成与管理最佳化建立量产优势。光宝提供产品广泛应用于计算机、通讯、消费性电子、 汽车 电子、LED照明、云端运算、工业自动化及生技医疗等领域，其中旗下产品包括光电产品、信息 科技 、储存装置等皆居全球领先地位。
产品案例：
（1）OPPO原装65W氮化镓快充充电器
（2）realme 65W氮化镓充电器评测
15、深圳市龙威盛电子 科技 有限公司
龙威盛集团成立于2003年，总部位于深圳龙华。集团下设：深圳市龙威盛电子 科技 有限公司、深圳市龙威盛 科技 有限公司、道县龙威盛 科技 有限公司、深圳市龙威盛电子有限公司、佳美能（香港）国际有限公司等五家子公司。深圳总部拥有2万平方米厂区，湖南道州龙威盛创新 科技 园区占地10万平方米。
龙威盛专注于“深耕产品，自主研发，创新 科技 ，节能环保”，拥有多个生产基地，产品服务涉及USB多功能充电器、电源适配器、锂电芯、锂电池、动力电池组、充电桩、3D广告机、共享充电宝、共享充电器、通讯配件、智能家居产品、网络营销服务等领域，是创新电源产品的行业翘楚。
产品案例：
（1）龙威盛发布90W氮化镓PD快充充电器
16、东莞市欧派奇电子 科技 有限公司
东莞市欧派奇电子 科技 有限公司是香港艾派奇国际集团在中国大陆成立的致力于为国际、国内各大品牌提供OEM/ODM等定制服务的一家大型高新技术性企业，专业从事移动电源，手机电池，后备电源，手机充电器，电源适配器，智能排插，数据线，手机保护壳等电子产品的开发、生产、销售及服务。为客户提供安全、轻便、持久的智能便携能源产品和一体化整体解决方案制造商。
产品案例：
（1）倍思45W 1A1C氮化镓双模充
（2）倍思45W 双USB-C氮化镓双模充能量堆
17、东莞市奥强电子有限公司
东莞市奥强电子有限公司是一个专业生产交直流电源适配器、电源变压器、交直流充电器、开关电源适配器、电池充电器制造厂家，产品具有齐全的国际安全认证如：UL、CUL、SAA、GS、BS、T-Mark、PSE等，帮助客户可以畅通无阻地配套各类产品行销世界各地，目前致力于锂电/镍氢/镍镉电池充电器，开关电源的设计与制造。拥有强大的研发部门，由电子产品软硬件的开发，塑胶及五金结构设计，相关模具制造皆可依客户需求独立完成，配合高质量、高效率的生产体系及优良的客户服务。
产品案例：
（1）AUKEY 100W氮化镓迷你PD快充充电器
（2）AUKEY 65W 1A1C氮化镓快充充电器
（3）AUKEY 65W 双USB-C氮化镓快充充电器
18、南京博兰得电子 科技 有限公司
南京博兰得电子 科技 有限公司成立于2009年，主要投资方为全汉集团。致力于先进电力电子技术研发与产品化以及新能源技术应用。总部位于南京紫金山麓的徐庄软件园内，同时在西安成立了分公司。现有技术研发人员50余名，多数具有相关专业硕士及以上学历。
博兰得同时为 科技 局设立的电力电子博士后流动点，可为电力电子、机械、热学等相关专业博士毕业生提供良好的实验、工作环境及相应指导。由美国维吉尼亚理工大学副教授徐明博士亲自领军担任总经理，以便完成心中愿望：建立世界级的中国品牌，以彰显中国人的智慧。
产品案例：
（1）thinkplus 65W氮化镓充电器
19、东莞市瑞亨电子 科技 有限公司
东莞市瑞亨电子 科技 有限公司成立于2006年，专业从事研发、生产和销售：开关电源、电源适配器、车充、LED电源、电源逆变器等电源供电产品。并且可根据客户要求研发和定制各种电源供电设备及提供OEM加工。公司已获得ISO9001：2000质量管理体系认证，全面实行无铅化生产，符合欧盟RoHS环保标准，产品通过CCC、CB、GS、CE、UL、FCC、PSE、KC、SAA、C-Tick等各国安全认证及能效标准。杜绝不良品流入下一工序。
产品案例：
（1）ROCK 65W 2C1A氮化镓充电器
20、广东斯泰克电子 科技 有限公司
广东斯泰克电子 科技 有限公司创立于2008年，位于南沙区东涌镇太石工业区内，由黄挺、黄成传、程宏明和广东斯泰克国际贸易有限公司投资设立的民营有限公司， 2017年末总资产人民币2.16亿元，贷款余额998万，资产负债率42%，AA级银行信用等级。公司是国内笔记本电脑替代电源、替代电池的主要生产厂商。
产品案例：
（1）RAVPower 30W氮化镓PD快充充电器
（2）RAVPower 61W氮化镓USB PD充电器
（3）RAVPOWER 65W 1A1C氮化镓快充充电器
（4）斯泰克100W氮化镓双USB-C充电器
21、深圳市索源 科技 有限公司
深圳市索源 科技 有限公司为国家高新技术企业，成立于2010年，专业从事开关电源、电源适配器、充电器、大功率电源、新能源 汽车 充电器、电源板、LED驱动电源及其它电子产品的开发、生产和销售。产品已通过UL、CUL、ETL、CE、GS、CB、CCC、PSE、SAA、FCC、KC 等认证并远销世界各地。
深圳工厂厂房面积约12000m²，拥有员工1000余人，年产能2000万台。江西索源 科技 厂房面积15000 m²，年产能2500万台。为充分保证产品质量和交期并有效控制生产成本，公司严格执行ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系，同时投巨资引进先进的生产设备和检测设备并成立自动生产线。
产品案例：
（1）魅族65W 2C1A氮化镓快充充电器
22、深圳市桑达实业股份有限公司
深圳市桑达实业股份有限公司成立于1993年9月，同年10月在深圳证券交易所主板挂牌上市（简称：深桑达A，代码：000032），是中国最大的国有综合性电子信息企业集团——中国电子信息产业集团有限公司（CEC）旗下中国中电国际信息服务有限公司投资控股的股份制企业。公司业务涵盖以智慧安防、智慧交通、智慧照明、智慧铁路等为主的智慧产业，以精密运输和产业物流为主的现代物流业和以自有工业园区改造升级为主的城市更新业务。
产品案例：
(1）SlimQ 65W氮化镓USB PD快充充电器1A1C
23、天宝电子（惠州）有限公司
天宝始创于1979年，2015年在香港主板上市（天宝集团股票代码: 1979），专注电源技术研发40年，设计和制造安全可靠的电源与智能充电器产品，为不同的客户及不同的终端领域， 提供具有市场竞争力的一站式智能电源解决方案， 多年来和众多国际顶尖品牌建立长期稳固的合作关系，成为信赖的主要供应商。
产品案例：
（1）天宝集团65W氮化镓充电器
（2）罗马仕65W氮化镓充电器
24、深圳新斯宝 科技 有限公司
深圳市新斯宝 科技 有限公司成立于是2008年，专注在开关电源，充电器等电源产品的研发设计，生产，销售为一体的高新技术企业。目前主要生产各类PD /QC 智能充电系列，同国内外多家知名大品牌合作，新斯宝通过优质的产品与服务，得到大家的认可，并在客户群中形成了很好的口碑。
新斯宝约有6000sqm制造工厂，位于深圳宝安沙井，公司约有500名员工及50名高水平管理及技术人才；拥有全自动化设备与多台生产及可靠性试验仪器。已为全球客户提供优质的电源充电器产品超过十年经验。
产品案例：
（1）摩米士65W 2C1A氮化镓快充充电器
（2）爱否开物1A2C 65W PD氮化镓充电器
（3）倍思65W 2C1A氮化镓充电器
（4）征拓 S3 65W氮化镓充电器评测
（5）SHARGE闪极 65W 2C1A氮化镓充电器
25、东莞昱为电子 科技 有限公司
东莞昱为电子 科技 有限公司成立于2016年，致力于成为全球智能设备及其附件领域的领导品牌，弘扬中国智造之美。在USB充电、智能家居、音频数码和保护类配件等领域，昱为电子都将潜心打造严谨周到、品质卓越的智能伙伴。
产品案例：
（1）omthing万魔65W 2C1A氮化镓快充充电器
充电头网总结
USB PD快充技术的普及，让手机、平板、笔记本电脑的充电接口、技术得到了融合统一，结束了数十年来，消费类数码产品充电标准纷争的局面。而氮化镓技术的导入，衍生了一种全新的产品形态，具有体积小、效率高、功率密度高等特性，备受用户及消费者欢迎。这也是诸多手机、笔电厂商迅速上线氮化镓快充的重要原因。
除了手机、笔电品牌的原装快充充电器市场之外，在多口氮化镓快充市场中，第三方配件品牌凭借灵活的设计及接地气的价格，推出一大批新品，全方位满足了当下用户的痛点，获得消费者好评。第三方电商品牌及其氮化镓快充工厂也从中获益颇丰。
总的来说，USB PD快充与氮化镓技术的结合，加速了消费类电源的更新换代，由此也诞生了一个价值超过百亿的全新市场。这对整个消费类电源供应链的上下游企业来说都是一次全新的机遇与挑战。
在充电头网本次统计的25家氮化镓快充工厂中，包括了系统内老牌工厂和新兴的电商代工厂两部分，其中以新兴的电商代工厂居多，并且纷纷实现了量产出货。这也就说明了只要抓住机遇，就能抢占市场先机。
随着绿色低碳战略的不断推进,提升能源利用效率和能源转换效率已经成为各行各业的共识,如何利用现代化新技术建成可循环的高效、高可靠性的能源网络,无疑是当前各国重点关注的问题。
值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元;
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙;第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙;二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗;
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化;
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用;外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能;设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大;制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路;封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率;其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化;第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本;第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系;最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等;
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等;
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域;在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 ;可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验;产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
电子发烧友网报道（文/程文智）在目前的中美贸易摩擦下，电子产业首当其冲，特别是芯片产业，据业内人士透露，现在跟美国的公司交易，周期一般都特别长，而且基本都需要提前付款和面临各种各样的审查。如果是跟华为有交易的话，还要求来自美国的技术不能超过25%。这迫使国内很多企业不得不考虑国内的供应链企业提供的产品。
在半导体行业方面，根据2018年的统计数据，美国在全球半导体市场占有的份额为48%、韩国为24%、中国除去外资企业的市场份额的话，仅占3%左右的市场份额，当然这两年这个比例可能有所提升。
即便美国已经占了如此多的市场份额，美国国防部在今年上半年，还调整了其12个重点发展的关键技术顺序，将微电子技术和5G军事技术调整到了前两位。在2019年的时候超高速、飞行器、生物技术排在前几位。
西安电子 科技 大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华在最近的一个论坛上分析称，半导体芯片的博弈是如此的激烈，主要原因是 一个技术密集型的企业，不管从材料、制造以及装备，甚至包括它的管理和运营都是非常专业的一个体系，基本上涵盖了所有技术，走在最先进的前沿。
根据整个集成电路发展规律，半导体进行已经进入了5纳米的技术节点，从常规的二维的器件向三维器件发展。技术节点的发展，带来了一个很大的挑战，就是整个加工的能力逐渐集中到极少数的企业。
对于美国来说，这几年他最大的一个优势是大量的研发投入，去年整个半导体收入有2260多亿美元，有17%的研发投入。正是因为美国的高投入，使得它能在半导体领域长期处于领导地位。不过这几年来，中国也开始加大了半导体基础方面的投入，这也是我们目前发展迅速的一个主要原因。
集成电路芯片技术发展趋势，除了常规的硅基，沿着制程不断缩小，实际上还有几个方面的发展趋势，从材料、器件和功能方面的高度融合，包括提供MEMS技术以及新型材料石墨烯的技术、光电以及通信一体化的芯片技术，甚至包括生物、传感、有源无源、功率射频如何融入一体的发展。所以未来的发展除了沿着摩尔定律制程的缩小以外，还有就是多功能的发展，以及个性化从新材料重新发展的体系。
在材料方面，除了硅基，第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术，我国除了在硅基方面进行追赶外，在第三代半导体方面也做了很多投入，有了不少的创新研究。
其实，宽禁带半导体，经过LED照明和Micro LED的技术发展，它的市场已经比较成熟了，现在宽禁带半导体产业的产能已经有了很大的提升，成本也在逐渐下降。因此，宽禁带半导体在的电子器件，包括射频功率器件、 汽车 雷达、卫星通信，以及5G基站和雷达预警等应用领域开始得到应用。在电力电子方面，尤其是电动 汽车 应用领域，充电桩和手机充电器将是很大的一块市场。新能源 汽车 方面，特斯拉已经将碳化硅器件应用在了Model 3上，后续可能会有更多的 汽车 厂商跟进。
在未来的发展，包括未来6G通信，未来定义的业务它的频段更高，通信的速率更高，这一块未来主体的材料，硅基器件的性能已经不能满足要求，这对氮化镓器件的发展提供了更大的动力。
据马晓华介绍，西安电子 科技 大学在2000年初就开始了基于第三代半导体方面的研究。目前他们主要基于两个平台：一是宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心；二是两个国家级的重点实验室。
“我们在早期围绕着第三代半导体材料生长设备以及它解决材料生长过程中的一些关键技术问题，包括我们器件的设计、最终的应用和它的可靠性分析，整个实验室是一个非常完整的第三代半导体，材料和芯片研究的体系。目前我们实际上具备了整个小批量，可以实现大功率，或者毫米波芯片的设计和制造能力。”马晓华表示。
目前，他们主要的研发包括 面向高质量外延片的生产，包括基于碳化硅，大储存的硅寸，以及我们先进的氮化镓器件制造工艺，基于5G基站用的大功率芯片，以及高频和超高频的芯片，包括电源转换的电力电子芯片。 他还透露，“基于应用端我们也有一些功率研究以及MMIC电路的封装体系，我们也是希望和终端用户实现未来在芯片实际应用的全路径的体系。”
从2000年开始，马晓华他们的团队分别从设备、材料、芯片以及电路方面进行攻关，并取得了一定的成绩，2009年他们的设备获奖，2015年设计的器件获奖，2018、2019年在应用放，他们也获得了国家的 科技 发明，或者是 科技 进步奖。
第三代半导体方面的成果
一是氮化 镓 半导体设备。 在最开始，马晓华他们团队需要解决的是第三代半导体材料生产的设备问题，包括高温MOCVD，因为在早期，氮化镓的设备对我国的限制还比较大，但是目前问题已经基本得到了解决。国内这几年，整个MOCVD设备已经占了国内市场的50%以上。其2007年研发出的620型第三代MOCVD设备还获得了2009年国家发明二等奖。
二是氮化镓毫米波功率器件。 因为氮化镓一个很大的优势，它可以在高频条件下，实现大的功率输出。其团队研发的氮化镓毫米波功率器件实现了高频、高效率氮化镓微波功率器件的核心技术开发，其毫米波段器件和芯片技术指标达到了国际领先水平。马晓华透露说，目前他们的器件在6GHz频段能够满足5G毫米波的需求。
三是面向5G的C波段高效率氮化镓器件。 该类器件主要是面向基站使用的。目前基于4英寸或者6英寸大功率的氮化镓基站芯片，主要的应用场景是C波段，它可以实现更高的输出效率和更高的输出功率，“目前我们对100瓦基站用的芯片，效率可以到72%，这个效率相对于硅基MOCVD来讲，整个技术进展还是蛮快的。”马晓华指出。
他还进一步指出，对于脉冲方面，如果通过一些斜波的技术处理，他们也可以实现85%的效率，基本上快接近微波的极限效率。
四是低压氮化镓HEMT射频器件。 未来氮化镓器件除了在基站中使用外，能够在终端上也使用氮化镓技术呢？这就涉及到了低压氮化镓射频器件的发展了。也就是说要从新的材料体系方面去更新，实现氮化镓射频器件在终端上的应用，即在10V以下的工作电压下，是不是还能实现更高效率跟带宽的情况，“这块我们也做了前瞻的研究，在6V的工作条件下，它的效率可以达到65%以上，整个体系基本上已经接近砷化镓在目前手机中的应用效率。”马晓华透露。
五是氮化镓高线性毫米波器件。 这类器件主要解决的是快速的压缩问题。我们现在的通信对于线性主要是通过电路和系统去提升，它牺牲的是效率，马晓华指出，“我们能否从器件的结构，工作原理中提升它的线性，这个也是未来氮化镓在5G通信中非常有用的场景。”
六是氮化 镓 微波功率芯片。 他们团队在整个S波段以下，未来通信的频段都有一系列的研究成果。包括未来面向毫米波，在19-23GHz，或者23-25GHz等频段，即未来5G的毫米波通信芯片方面也做了相关的研究，他透露说，目前他们研发的芯片产品主要是基于氮化镓低噪运放、驱动功放以及功率放大器等。
七是异质结构新材料与多功能集成器件。 未来的器件，除了基于氮化镓的器件，还有很多基于异质结构，或者多功能的芯片，它的模型基于硅基的氮化镓，以及硅基CMOS器件异质集成，因为如果采用硅基的话能够大大降低氮化镓和砷化镓铟等芯片成本，实现与CMOS集成、多功能集成，大大降低功耗。“这块我们也做了一些研究，通过对不同材料的转移和建核的方法，目前也实现了对硅基材料和氮化镓材料两种器件的优势互补，在未来电力电子这块，可能它的应用场景比较高。”马晓华指出。
八是大尺寸硅基氮化镓射频技术。 如果要大量的展开应用，尤其我们的消费电子类产品，对成本的要求很高。因此，低成本、大尺寸、基于硅基的氮化镓射频技术，也是一个需要发展的产业。这些技术的发展，一定会促进氮化镓在整个产业链中的应用，同时也降低了它的应用成本。
九是氮化 镓 可靠性机理研究。 马晓华也坦承，虽然第三代半导体的研究取得了一定的成果，但目前还有很多问题需要解决，比如氮化镓的可靠性和一些机理性问题，还需要企业应用过程中逐步反映到研发机构，他们相互去解决。“目前很多基于氮化镓机理性的问题，包括它的可靠性方面，我们还有一些机理上不是那么清晰和明确，这一块可能还需要一段时间，从应用的层面和研究的层面去协同解决”。
结语
对于第三代半导体器件和集成电路未来产业的发展，目前在通信、 汽车 和智能化未来的应用方面有非常大的潜力。国内目前从事这方面研究的企业和研究机构也很多，我们需要考虑的是如何从全产业链方面布局，实现产业化的聚集，从设备、材料，芯片设计制造和封测应用、服务以及人才方面的布局。
第三代半导体是一个很好的产业，也有着很好的机遇，目前正好面临着通信的高度发展，可以说现在是发展第三代半导体最好的时代。
